品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1286pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC050N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2V@27µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@20V
连续漏极电流:18A€85A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1286pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC050N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2V@27µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@20V
连续漏极电流:18A€85A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2850}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP103-TL-H
工作温度:150℃
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@28A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM033NA04LCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@20V
连续漏极电流:141A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP7N100P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2590pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.5A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":374,"13+":239,"MI+":230}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
输入电容:1874pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC050N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2V@27µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@20V
连续漏极电流:18A€85A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1286pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP125N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1533pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9548,"23+":1225}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS1D7N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1286pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
输入电容:1874pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6358
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@15V
连续漏极电流:42A€85A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW12N150K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.5A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW12N150K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.5A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: