采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@20V
连续漏极电流：18A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@27µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@20V
连续漏极电流：18A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM033NA04LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@20V
连续漏极电流：141A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@27µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@20V
连续漏极电流：18A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9548，"23+"：1225}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D7N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5803}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@20V
连续漏极电流：18A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9548，"23+"：1225}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D7N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：36000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9548，"23+"：1225}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D7N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R704PC，LQ
工作温度：175℃
功率：830mW€90W
阈值电压：2.4V@300µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3615pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@20V
连续漏极电流：18A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@20V
连续漏极电流：18A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@20V
连续漏极电流：18A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5803}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@20V
连续漏极电流：18A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R704PC，LQ
工作温度：175℃
功率：830mW€90W
阈值电压：2.4V@300µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3615pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D7N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R704PC，LQ
工作温度：175℃
功率：830mW€90W
阈值电压：2.4V@300µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3615pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@20V
连续漏极电流：18A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@27µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@20V
连续漏极电流：18A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC050N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@20V
连续漏极电流：18A€85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R704PC，LQ
工作温度：175℃
功率：830mW€90W
阈值电压：2.4V@300µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3615pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@41A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
