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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
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输入电容：2190pF@25V
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规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_GE3
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：SUD35N10-26P-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€83W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SUD35N10-26P-GE3
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输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：35A
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导通电阻：26mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_GE3
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功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
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输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
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规格型号(MPN)：SUD35N10-26P-E3
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功率：8.3W€83W
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栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
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输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
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输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
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规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_GE3
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功率：107W
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输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
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规格型号(MPN)：SUD35N10-26P-E3
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连续漏极电流：35A
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输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
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功率：8.3W€83W
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栅极电荷：47nC@10V
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输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SUD35N10-26P-GE3
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功率：8.3W€83W
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栅极电荷：47nC@10V
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输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_GE3
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功率：107W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
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规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_GE3
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栅极电荷：47nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
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栅极电荷：47nC@10V
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_4GE3
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ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
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连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_4GE3
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功率：107W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD35N10-26P-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€83W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD35N10-26P-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€83W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD35N10-26P-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€83W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD35N10-26P-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€83W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10N30-330H_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2190pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD35N10-26P-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€83W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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