品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":374,"13+":239,"MI+":230}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
输入电容:1874pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9548,"23+":1225}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS1D7N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
输入电容:1874pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1874pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":15000,"17+":64000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI45N06S409AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:4V@34µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3785pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1874pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD35N10-26P-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:8.3W€83W
阈值电压:4.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@12V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1874pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1874pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD35N10-26P-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:8.3W€83W
阈值电压:4.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@12V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD35N10-26P-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:8.3W€83W
阈值电压:4.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@12V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1874pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9548,"23+":1225}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS1D7N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1874pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":36000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1874pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1874pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI45N06S409AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:4V@34µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3785pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: