品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR104ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@50V
连续漏极电流:18.8A€81A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT080N10D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3.65nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@50V
导通电阻:6mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20P10KE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3.354nF@50V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
导通电阻:94mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR104ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@50V
连续漏极电流:18.8A€81A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4090BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€7.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3570pF@50V
连续漏极电流:12.2A€18.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@12.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT080N10M
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:2V
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3.65nF@50V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@50V
导通电阻:6mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR104ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@50V
连续漏极电流:18.8A€81A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4090BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€7.4W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3570pF@50V
连续漏极电流:12.2A€18.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@12.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4090BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€7.4W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3570pF@50V
连续漏极电流:12.2A€18.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@12.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.5W€120W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@50V
连续漏极电流:21.1A€90.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.5W€120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@50V
连续漏极电流:21.1A€90.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.5W€120W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@50V
连续漏极电流:21.1A€90.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.5W€120W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@50V
连续漏极电流:21.1A€90.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4090BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€7.4W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3570pF@50V
连续漏极电流:12.2A€18.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@12.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40N10-25_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.5W€120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@50V
连续漏极电流:21.1A€90.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4090BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€7.4W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3570pF@50V
连续漏极电流:12.2A€18.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@12.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40N10-25_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT080N10D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3.65nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@50V
导通电阻:6mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.5W€120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@50V
连续漏极电流:21.1A€90.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT080N10D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3.65nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@50V
导通电阻:6mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR104ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@50V
连续漏极电流:18.8A€81A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40N10-25_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT080N10T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3.65nF@50V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@50V
导通电阻:6mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: