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    ST Mosfet场效应管 STW48N60DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STW48N60DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW48N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3250pF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@20A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH3N200P3HV 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH3N200P3HV 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH3N200P3HV

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1860pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@1.5A,10V

    漏源电压:2000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP51N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@25V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:120
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP51N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@25V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    加购:30
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP51N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@25V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP51N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@25V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP51N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@25V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP51N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@25V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP51N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@25V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP51N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@25V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF51N25YDTU
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF51N25YDTU

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF51N25YDTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@25V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:184
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP51N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@25V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP51N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@25V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT3N200P3HV
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT3N200P3HV

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT3N200P3HV

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1860pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@1.5A,10V

    漏源电压:2000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP16N60
    onsemi Mosfet场效应管 FCP16N60

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP16N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:167W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP51N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@25V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:120
    加购:30
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQH8N100C
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQH8N100C

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQH8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP51N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@25V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDP51N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP51N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@25V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FCP16N60
    onsemi Mosfet场效应管 FCP16N60

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP16N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:167W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:60
    加购:30
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH3N200P3HV
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH3N200P3HV

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH3N200P3HV

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1860pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@1.5A,10V

    漏源电压:2000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQH8N100C
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQH8N100C

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQH8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF51N25
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF51N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF51N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@25V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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