品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:73A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":39000,"23+":60000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:38A€200A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6144
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:73A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:38A€200A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6144
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6144
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS1D5N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:2V@130µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:38A€200A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":4517,"MI+":2245}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:73A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2146
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3830pF@20V
连续漏极电流:34.5A€54A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:38A€200A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6144
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C430NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2146
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3830pF@20V
连续漏极电流:34.5A€54A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:73A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C430NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2146
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3830pF@20V
连续漏极电流:34.5A€54A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:73A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:73A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6144
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6144
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":39000,"23+":60000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:38A€200A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS1D5N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:2V@130µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:38A€200A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6144
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:38A€200A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:38A€200A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:38A€200A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:38A€200A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: