品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4954pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5670
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5670
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5670
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50N06-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2650pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5670
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5670
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4954pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5670
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4954pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5670
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5670
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT035N06T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:215W
阈值电压:1.6V
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:5.064nF@30V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5670
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5670
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4954pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5670
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50N06-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2650pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50N06-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2650pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5670
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5670
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: