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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640STRRPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640STRRPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF640STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€130W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E240BNTB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E240BNTB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E240BNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6024ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R125CPATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R125CPATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R125CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.5V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104ADP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104ADP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR104ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@50V

    连续漏极电流:18.8A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS50DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS50DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@20V

    连续漏极电流:29.7A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.83mΩ@15A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLWFAFT1G 起订297个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLWFAFT1G 起订297个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":39000,"23+":60000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6144

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104ADP-T1-RE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104ADP-T1-RE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR104ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@50V

    连续漏极电流:18.8A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640STRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640STRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF640STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€130W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4090BDY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4090BDY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4090BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€7.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3570pF@50V

    连续漏极电流:12.2A€18.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@12.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLAFT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLAFT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6144

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104ADP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104ADP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR104ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@50V

    连续漏极电流:18.8A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4090BDY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4090BDY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4090BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€7.4W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3570pF@50V

    连续漏极电流:12.2A€18.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@12.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6144

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N08S406ATMA1 起订339个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N08S406ATMA1 起订339个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N08S406ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6024ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR150DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR150DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR150DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€65.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@20V

    连续漏极电流:30.9A€110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.71mΩ@15A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D5N04CLTWG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D5N04CLTWG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMJS1D5N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@130µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB18NM80 起订2000个装
    ST Mosfet场效应管 STB18NM80 起订2000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18NM80

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4090BDY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4090BDY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4090BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€7.4W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3570pF@50V

    连续漏极电流:12.2A€18.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@12.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6024ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6024ENJTL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6024ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E240BNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E240BNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E240BNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLAFT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLAFT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104AEP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104AEP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.5W€120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@50V

    连续漏极电流:21.1A€90.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5670 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5670 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5670

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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