采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR104ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@50V
连续漏极电流：18.8A€81A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS50DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：29.7A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.83mΩ@15A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6144
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR104ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@50V
连续漏极电流：18.8A€81A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4090BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€7.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3570pF@50V
连续漏极电流：12.2A€18.7A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@12.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6415DQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONR21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€30W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：21A€34A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6144
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR104ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@50V
连续漏极电流：18.8A€81A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4090BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€7.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3570pF@50V
连续漏极电流：12.2A€18.7A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@12.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6144
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6415DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR150DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：30.9A€110A
类型：N沟道
导通电阻：2.71mΩ@15A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4090BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€7.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3570pF@50V
连续漏极电流：12.2A€18.7A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@12.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6415DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6415DQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：06+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6144
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3780pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21357
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6415DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6415DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
