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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：07+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIE810DF-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€125W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：07+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIE810DF-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€125W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@25A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：300nC@10V
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输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
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功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
输入电容：8840pF@15V
包装方式：卷带（TR）
功率：4.8W€57W
栅极电荷：300nC@10V
阈值电压：900mV@250µA
工作温度：-50℃~150℃
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
漏源电压：20V
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
输入电容：8840pF@15V
包装方式：卷带（TR）
功率：4.8W€57W
栅极电荷：300nC@10V
阈值电压：900mV@250µA
工作温度：-50℃~150℃
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS23DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
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