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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：30040}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS9926SC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
反向传输电容：85pF@10V
导通电阻：23mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS9926SC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
反向传输电容：85pF@10V
导通电阻：23mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG330P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：477pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS9926SC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
反向传输电容：85pF@10V
导通电阻：23mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@50μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：594.3pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
输入电容：594.3pF@10V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：7nC@4.5V
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
导通电阻：48mΩ@3A，4.5V
连续漏极电流：2.8A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
