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    栅极电荷: 1.4nC@4.5V
    类型: N沟道
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订10000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订10000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订50个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订50个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订9个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订29个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订29个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订10000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订10000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订50个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订50个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订57个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订57个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订250个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订250个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订25个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订25个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订19个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订19个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订103个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订103个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3434_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3434_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67pF@10V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订50个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订50个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB290UNE2YL 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订9000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13381F4 起订9000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13381F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@6V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订20000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订20000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订20000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ290UNE2YL 起订20000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€5.43W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

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