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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4132pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
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功率：2.5W€6.3W
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ECCN：EAR99
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输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
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漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
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功率：375W
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
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规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
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栅极电荷：96nC@10V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
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功率：2.5W€6.3W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
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规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
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功率：2.5W€6.3W
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规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
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功率：2.5W€6.3W
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ECCN：EAR99
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
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类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4132pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
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连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
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功率：2.5W€6.3W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
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输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4132pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：6A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
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连续漏极电流：6A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
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栅极电荷：96nC@10V
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连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
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输入电容：2945pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
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功率：375W
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类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
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连续漏极电流：6A
类型：P沟道
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漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.3W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
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连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
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类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
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类型：P沟道
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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栅极电荷：96nC@10V
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连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5471DC-T1-GE3
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：2.5W€6.3W
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2945pF@10V
阈值电压：1.1V@250µA
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，4.5V
漏源电压：20V
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4132pF@100V
类型：N沟道
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：17mΩ@30A，10V
功率：375W
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR662DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4365pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR662DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4365pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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