品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y1R7-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6142pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90140E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4132pF@100V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP140N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6340pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R8-40YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP140N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6340pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R4-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6661pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP140N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6340pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R4-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6661pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R4-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6661pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y1R7-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6142pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R4-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6661pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S208ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:215W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2860pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@58A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R8-40YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP140N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6340pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP140N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6340pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R8-40YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S208ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:215W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2860pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@58A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R8-40YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R8-40YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90140E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4132pF@100V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN057-200B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN057-200B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R8-40YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R4-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6661pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R4-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6661pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R4-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6661pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90140E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4132pF@100V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90140E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4132pF@100V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R4-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6661pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R4-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6661pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: