销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:7.2A€8A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3026LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:643pF@15V
连续漏极电流:6.6A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5N105K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:210pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:1050V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:7.2A€8A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4035LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:574pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4035L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:574pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4035LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:574pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6N02L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4035LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:574pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4035L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:574pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4035L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:574pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4035LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:574pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3026LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:643pF@15V
连续漏极电流:6.6A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@100V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:7.2A€8A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3026LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:643pF@15V
连续漏极电流:6.6A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4035L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:574pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:220pF@100V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4035LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:574pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4035LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:574pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4035LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:574pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: