采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J135TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：103mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6321-TL-E
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：83mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3412-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2990}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6321-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：83mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2N2VH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：367pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：12886}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1332-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J145TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：103mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J145TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：103mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J135TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：103mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2N2VH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：367pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STT5N2VH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：367pF@16V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J327R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：93mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J377R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：93mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J135TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：103mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J327R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：93mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J325F，LF
工作温度：150℃
功率：600mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6321-TL-E
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：83mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J327R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：93mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3412-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3412-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J325F，LF
工作温度：150℃
功率：600mW
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J377R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：93mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J325F，LF
工作温度：150℃
功率：600mW
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J145TU，LXHF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：103mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6G18NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J145TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：103mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J327R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：3.9A
类型：P沟道
导通电阻：93mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J375F，LF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
