品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF644STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
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规格型号(MPN):IRF644STRRPBF
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功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
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规格型号(MPN):IRF644STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
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规格型号(MPN):IRF644STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF644STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF644STRRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
类型:N沟道
漏源电压:250V
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
连续漏极电流:14A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:1300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF644STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N65E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1257pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:363mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N65E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1257pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:363mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHH11N65E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1257pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:363mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
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工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
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连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:363mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
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连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:363mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
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工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
栅极电荷:68nC@10V
漏源电压:650V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1257pF@100V
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