采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH100P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH100P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP405-TL-H
工作温度：150℃
功率：70W
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP405-TL-H
工作温度：150℃
功率：70W
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP405-TL-H
工作温度：150℃
功率：70W
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ATP405-TL-H
工作温度：150℃
功率：70W
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ATP405-TL-H
工作温度：150℃
功率：70W
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：70W
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
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输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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功率：70W
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
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连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@20A，10V
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功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
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输入电容：3600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
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工作温度：150℃
功率：70W
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栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
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输入电容：3600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RRH100P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ATP405-TL-H
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：70W
栅极电荷：68nC@10V
输入电容：4000pF@20V
ECCN：EAR99
导通电阻：33mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
连续漏极电流：40A
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品牌：ROHM
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH100P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RRH100P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
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栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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