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    栅极电荷: 20.4nC@10V
    阈值电压: 1V@250μA
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    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25DN8TA 起订数1500个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25DN8TA 起订数1500个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    输入电容:1.063nF@30V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:50mΩ@10V,3.6A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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