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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
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栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
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功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
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功率：2.5W€96W
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输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11030，"23+"：19640}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
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功率：2.5W€96W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
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输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
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功率：5W€62.5W
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输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
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功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11030，"23+"：19640}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：2.5W€96W
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类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
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栅极电荷：49nC@10V
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输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
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功率：2.5W€96W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：2.5W€96W
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栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11030，"23+"：19640}
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规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11030，"23+"：19640}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
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销售单位：个
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ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
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输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
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栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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