品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NSSCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.3V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3375pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P045ATTB1
工作温度:150℃
功率:2W€20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1990pF@50V
连续漏极电流:4.5A€14.5A
类型:P沟道
导通电阻:86mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0806NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.3V@61µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:16A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS9N60ATRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:148W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2404pF@50V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4354
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@15V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR578EP-T1-RE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.5W€150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@75V
连续漏极电流:17.4A€78A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3367pF@20V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P045ATTB1
工作温度:150℃
功率:2W€20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1990pF@50V
连续漏极电流:4.5A€14.5A
类型:P沟道
导通电阻:86mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2754pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK55S10N1,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3280pF@10V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:148W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2404pF@50V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0806NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.3V@61µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:16A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6792
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€48W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3110pF@15V
连续漏极电流:44A€85A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2754pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3367pF@20V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0806NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.3V@61µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:16A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS9N60ATRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0806NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.3V@61µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:16A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2754pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NSSCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.3V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3375pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86340ET80
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2775pF@40V
连续漏极电流:14A€68A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@14A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR876ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1630pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R606NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€63W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3965pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:148W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2404pF@50V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: