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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G300P06T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：49nC@10V
输入电容：2.736nF@30V
连续漏极电流：40A
类型：1个P沟道
反向传输电容：153pF@30V
导通电阻：25mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40A10N1，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1630pF@50V
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
栅极电荷：49nC@10V
功率：5W€62.5W
漏源电压：100V
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40A10N1，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
