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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J66MFV，L3XHF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J66MFV，L3XHF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SSM3J66MFV，L3XHF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
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规格型号(MPN)：SSM3J66MFV，L3XHF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
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连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
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规格型号(MPN)：SSM3J66MFV，L3XHF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
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输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J66MFV，L3XHF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
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连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J66MFV，L3XHF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：5000，"12+"：40000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1334-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：215mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J66MFV，L3XHF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J66MFV，L3XHF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J66MFV，L3XHF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：5000，"12+"：40000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1334-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@6V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：215mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
