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    栅极电荷: 600pC@4.5V
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKW,115 起订数450000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKW,115 起订数450000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:275mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 T2N7002BK,LM 起订数150000个
    TOSHIBA Mosfet场效应管 T2N7002BK,LM 起订数150000个

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:320mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:400mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10V,100mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BK,215 起订数100个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BK,215 起订数100个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:370mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002E-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002E-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:21pF@5V

    连续漏极电流:240mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@250mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BK,215 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BK,215 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:370mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002E-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002E-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:21pF@5V

    连续漏极电流:240mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@250mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKV,115 起订数250个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKV,115 起订数250个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:350mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:340mA

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:4pF@10V

    导通电阻:1Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 T2N7002BK,LM 起订数1000个
    TOSHIBA Mosfet场效应管 T2N7002BK,LM 起订数1000个

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:320mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:400mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10V,100mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 T2N7002BK,LM 起订数1000个
    TOSHIBA Mosfet场效应管 T2N7002BK,LM 起订数1000个

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:320mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:400mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10V,100mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-T1-E3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:600pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1022R-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1022R-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1022R-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:330mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.25Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订21000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订21000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:600pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-T1-E3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:600pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1022R-T1-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1022R-T1-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1022R-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:330mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.25Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002E-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002E-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:21pF@5V

    连续漏极电流:240mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@10V,250mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002E-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002E-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:21pF@5V

    连续漏极电流:240mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@10V,250mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKV,115 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKV,115 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:350mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:340mA

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:4pF@10V

    导通电阻:1Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002E-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002E-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:21pF@5V

    连续漏极电流:240mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@10V,250mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002E-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002E-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:21pF@5V

    连续漏极电流:240mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@10V,250mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKW,115 起订数100个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKW,115 起订数100个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:275mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKS,115 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKS,115 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:295mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002E-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002E-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:21pF@5V

    连续漏极电流:240mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@250mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002E-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002E-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:21pF@5V

    连续漏极电流:240mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@250mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKS,115 起订数21000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKS,115 起订数21000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:295mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKW,115 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKW,115 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:275mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKV,115 起订数2000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKV,115 起订数2000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:350mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:340mA

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:4pF@10V

    导通电阻:1Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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