采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
阈值电压：3.4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
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输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
阈值电压：3.4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
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栅极电荷：35nC@10V
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输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
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栅极电荷：35nC@10V
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输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
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类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
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类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
阈值电压：3.4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€96W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
