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    栅极电荷: 35nC@10V
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    ST Mosfet场效应管 STB28N65M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB28N65M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW28N65M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW28N65M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G170P03D3 起订36个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G170P03D3 起订36个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G170P03D3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:35W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@10V

    输入电容:1.805nF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:207pF@15V

    导通电阻:12mΩ@10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF28N65M2 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STF28N65M2 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF3860T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF3860T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF3860T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH20N65X 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH20N65X 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH20N65X

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH20N65X 起订3个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH20N65X 起订3个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH20N65X

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF3860T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW28N65M2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STW28N65M2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB28N65M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB28N65M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF3860T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF3860T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF3860T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW28N65M2 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STW28N65M2 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP28N65M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP28N65M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF28N65M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF28N65M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP28N65M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP28N65M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF28N65M2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STF28N65M2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF3860T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW28N65M2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STW28N65M2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP28N65M2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STP28N65M2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW28N65M2 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STW28N65M2 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF3860T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH20N65X 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH20N65X 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH20N65X

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH20N65X 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH20N65X 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH20N65X

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    谷峰 Mosfet场效应管 G170P03D3 起订38个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G170P03D3 起订38个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G170P03D3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:35W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@10V

    输入电容:1.805nF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:207pF@15V

    导通电阻:12mΩ@10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ST Mosfet场效应管 STF28N65M2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STF28N65M2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ST Mosfet场效应管 STB28N65M2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STB28N65M2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB28N65M2

    工作温度:150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@10A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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