采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN3R804NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN3R804NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN3R804NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN3R804NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN3R804NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN3R804NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN3R804NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN3R804NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN3R804NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN3R804NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN3R804NC，L1XHQ
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
功率：840mW€100W
工作温度：175℃
输入电容：2230pF@10V
阈值电压：2.5V@300µA
栅极电荷：35nC@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN3R804NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€100W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
