采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C453NLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：23A€107A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ146ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ146ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C453NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：107A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2182，"19+"：2484，"21+"：970，"22+"：4953，"23+"：111800，"24+"：3119，"MI+"：3339}
包装规格(MPQ)：434psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S308ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y24-40PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@20V
连续漏极电流：39A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8，2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS484ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C453NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：107A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C453NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：107A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C453NLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：23A€107A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C453NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：107A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS484ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS484ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB4184
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C453NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：107A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C453NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：107A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS484ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ146ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ146ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C453NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：23A€107A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C453NLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：23A€107A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ146ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@25V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C453NLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：23A€107A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C453NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：23A€107A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C450NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：27A€110A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C453NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：107A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y24-40PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@20V
连续漏极电流：39A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8，2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C453NLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：23A€107A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB4184
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C453NLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：23A€107A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
