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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y24-40P，115
工作温度：-55℃~+175℃
功率：66W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.25nF@20V
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y24-40P，115
工作温度：-55℃~+175℃
功率：66W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.25nF@20V
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19533KCS
工作温度：-55℃~+175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.67nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6495NLT4G-VF01
功率：83W
导通电阻：50mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
连续漏极电流：25A
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
输入电容：1.024nF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
