采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD65N55F3
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB23NM50N
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD65N55F3
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD65N55F3
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD65N55F3
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD65N55F3
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7NS20T4
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD65N55F3
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB23NM50N
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB23NM50N
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD65N55F3
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7NS20T4
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD65N55F3
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD65N55F3
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB23NM50N
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB23NM50N
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630
工作温度：-65℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF630
输入电容：700pF@25V
栅极电荷：45nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-65℃~150℃
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：9A
导通电阻：400mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
功率：75W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
