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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS12DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4270pF@20V
连续漏极电流：37.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：1.98mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS12DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4270pF@20V
连续漏极电流：37.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：1.98mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H409NLT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€140W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@20V
连续漏极电流：41A€270A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS5H409NLT3G
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类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：NTMFS5H409NLT3G
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功率：3.2W€140W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@20V
连续漏极电流：41A€270A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：NTMFS5H409NLT1G
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输入电容：5700pF@20V
连续漏极电流：41A€270A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
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导通电阻：1.98mΩ@10A，10V
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规格型号(MPN)：NTMFS5H409NLT3G
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栅极电荷：89nC@10V
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输入电容：5700pF@20V
连续漏极电流：41A€270A
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导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS5H409NLT1G
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功率：3.2W€140W
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输入电容：5700pF@20V
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类型：N沟道
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@20V
连续漏极电流：41A€270A
类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS12DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：37.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：1.98mΩ@10A，10V
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类型：N沟道
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连续漏极电流：41A€270A
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：41A€270A
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