采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：2.8V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@30V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H600NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@30V
连续漏极电流：35A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H600NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@30V
连续漏极电流：35A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：20，"23+"：3500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：2.8V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@30V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H600NLT1G-IRH1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@30V
连续漏极电流：35A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：2.8V@120µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@30V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS12DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4270pF@20V
连续漏极电流：37.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：1.98mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS12DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4270pF@20V
连续漏极电流：37.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：1.98mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H600NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@30V
连续漏极电流：35A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H600NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@30V
连续漏极电流：35A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H409NLT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€140W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@20V
连续漏极电流：41A€270A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H600NLT1G-IRH1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@30V
连续漏极电流：35A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H600NLT1G-IRH1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@30V
连续漏极电流：35A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H600NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@30V
连续漏极电流：35A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H409NLT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€140W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@20V
连续漏极电流：41A€270A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS12DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4270pF@20V
连续漏极电流：37.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：1.98mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H409NLT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€140W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@20V
连续漏极电流：41A€270A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H409NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€140W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@20V
连续漏极电流：41A€270A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H409NLT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€140W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@20V
连续漏极电流：41A€270A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H409NLT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€140W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@20V
连续漏极电流：41A€270A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：2.8V@120µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@30V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：20，"23+"：3500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：2.8V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@30V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：2.8V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@30V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：2.8V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6500pF@30V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.45mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H600NLT1G-IRH1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@30V
连续漏极电流：35A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS12DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4270pF@20V
连续漏极电流：37.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：1.98mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H600NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@30V
连续漏极电流：35A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H409NLT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€140W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@20V
连续漏极电流：41A€270A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H600NLT1G-IRH1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6680pF@30V
连续漏极电流：35A€250A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS12DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4270pF@20V
连续漏极电流：37.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：1.98mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
