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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：485pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
