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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2310ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2310ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2310ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2310ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
