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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4965NFT1G
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4965NFT1G
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB42N03S2L-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@37µA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：12.6mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS782DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1025pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1280，"14+"：19500，"16+"：16500，"20+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4985NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.63W€22.73W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4965NFT1G
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4985NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.63W€22.73W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS782DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1025pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2260000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4985NFT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.63W€22.73W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4985NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.63W€22.73W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4965NFT1G
阈值电压：2.3V@1mA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4965NFT1G
阈值电压：2.3V@1mA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB42N03S2L-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@37µA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：12.6mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4985NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.63W€22.73W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS782DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1025pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：9500，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6209-30C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1760pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2260000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4985NFT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.63W€22.73W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4965NFT1G
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1280，"14+"：19500，"16+"：16500，"20+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4985NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.63W€22.73W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4985NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.63W€22.73W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4965NFT1G
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4985NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.63W€22.73W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：9500，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6209-30C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1760pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS782DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1025pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1280，"14+"：19500，"16+"：16500，"20+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4985NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.63W€22.73W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS782DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1025pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4985NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.63W€22.73W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS782DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1025pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4985NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.63W€22.73W
阈值电压：2.3V@1mA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4985NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.63W€22.73W
阈值电压：2.3V@1mA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：17.5A€65A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
