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    栅极电荷: 50nC@10V
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C423NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@20V

    连续漏极电流:31A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM036N03PQ56 RLG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM036N03PQ56 RLG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM036N03PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@15V

    连续漏极电流:124A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ28N60P3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ28N60P3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFQ28N60P3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:695W

    阈值电压:5V@2.5mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3560pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ011NE2LS5IATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ011NE2LS5IATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ011NE2LS5IATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@12V

    连续漏极电流:35A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4840BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT15H017LPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT15H017LPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT15H017LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3369pF@75V

    连续漏极电流:9.4A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4155DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4155DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4155DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@15V

    连续漏极电流:10.2A€13.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4155DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4155DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4155DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@15V

    连续漏极电流:10.2A€13.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4434DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD12N50E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD12N50E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD12N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:886pF@100V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:550V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ013NE2LS5IATMA1 起订486个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ013NE2LS5IATMA1 起订486个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4195}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ013NE2LS5IATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@12V

    连续漏极电流:32A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ANX 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ANX 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6015ANX

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC076N06NS3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC076N06NS3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC076N06NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4840BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121ADN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.5W€27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA040N06NM5SXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA040N06NM5SXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA040N06NM5SXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:3.3V@50µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@30V

    连续漏极电流:72A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@72A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C423NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@20V

    连续漏极电流:31A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C423NLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C423NLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C423NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC50N10Y-TP 起订1个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC50N10Y-TP 起订1个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC50N10Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2808pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12D5 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT100N12D5 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT100N12D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:120W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:3.05nF@60V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:22pF@60V

    导通电阻:7.5mΩ

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D1N04CLTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS2D1N04CLTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS2D1N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€83W

    阈值电压:2V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:29A€132A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4435DDY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4435DDY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4435DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:11.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@9.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订800个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订800个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB22P10TM

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB22P10TM

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ300N10TL 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSJ300N10TL 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSJ300N10TL

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70090E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70090E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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