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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3417DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25.2mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10000，"9999"：1890}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€69W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@20V
连续漏极电流：10.8A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3417DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25.2mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7619DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€69W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2775pF@20V
连续漏极电流：10.8A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3417DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25.2mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7619DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10000，"9999"：1890}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€69W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@20V
连续漏极电流：10.8A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7619DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7619DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ4435-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7619DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3417DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25.2mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3417DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25.2mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3417DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25.2mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€69W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2775pF@20V
连续漏极电流：10.8A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ4435-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7619DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ4435-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ4435-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€69W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@20V
连续漏极电流：10.8A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ4435A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€69W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2775pF@20V
连续漏极电流：10.8A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€69W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2775pF@20V
连续漏极电流：10.8A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
