采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP75NS04Z
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1860pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@40A，10V
漏源电压：33V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
