品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXKH70N60C5
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3.5V@3mA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6800pF@100V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@44A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R045CPFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:431W
阈值电压:3.5V@3mA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6800pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@44A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK150N15P
工作温度:-55℃~175℃
功率:714W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5800pF@25V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R045CPAFKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:431W
阈值电压:3.5V@3mA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6800pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@44A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB160N04S4LH1ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2.2V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14950pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW55NM60ND
工作温度:150℃
功率:350W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5800pF@50V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@10V
连续漏极电流:26.6A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R045CPFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:431W
阈值电压:3.5V@3mA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6800pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@44A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH7084TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@150µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6560pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.25mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP064PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7400pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@78A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":13000,"16+":13000,"18+":12298}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80N06S2LH5AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5000pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@80A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@10V
连续漏极电流:26.6A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH7084TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6560pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.25mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@10V
连续漏极电流:26.6A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX80N60P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1300W
阈值电压:5V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13100pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH7084TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@150µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6560pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.25mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP32N50KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5280pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@32A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP32N50KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5280pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@32A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: