采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR392DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9530pF@15V
连续漏极电流：82A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA80DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9530pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA80DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9530pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR392DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9530pF@15V
连续漏极电流：82A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0150N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0090N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4739，"22+"：26828}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR392DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9530pF@15V
连续漏极电流：82A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR392DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9530pF@15V
连续漏极电流：82A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA80DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9530pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR392DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9530pF@15V
连续漏极电流：82A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0150N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR392DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9530pF@15V
连续漏极电流：82A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0150N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMNR58-30YLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：2.2V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6160pF@15V
连续漏极电流：380A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR392DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9530pF@15V
连续漏极电流：82A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86361-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0150N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4739，"22+"：26828}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMNR58-30YLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：2.2V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6160pF@15V
连续漏极电流：380A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL033N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6720pF@400V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@35A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR392DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9530pF@15V
连续漏极电流：82A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86361-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR392DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9530pF@15V
连续漏极电流：82A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0090N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR392DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9530pF@15V
连续漏极电流：82A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.62mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4739，"22+"：26828}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
