品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":200,"16+":50,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4099LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:750pF@30V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":200,"16+":50,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4099LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:750pF@30V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1211}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5012DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1211}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5012DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":200,"16+":50,"MI+":1000}
规格型号(MPN):2SK4099LS-1E
功率:2W€35W
工作温度:150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@4A,10V
连续漏极电流:6.9A
包装方式:管件
漏源电压:600V
输入电容:750pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":1211}
规格型号(MPN):RJK5012DPP-E0#T2
漏源电压:500V
工作温度:150℃
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1100pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
包装方式:管件
导通电阻:620mΩ@6A,10V
功率:30W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK155A65Z,S4X
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@730µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1635pF@300V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4099LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€35W
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:750pF@30V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1211}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5012DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":200,"16+":50,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4099LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:750pF@30V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":200,"16+":50,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4099LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:750pF@30V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1211}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5012DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4099LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€35W
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:750pF@30V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":200,"16+":50,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4099LS-1E
工作温度:150℃
功率:2W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:750pF@30V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1211}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5012DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":1211}
规格型号(MPN):RJK5012DPP-E0#T2
漏源电压:500V
工作温度:150℃
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1100pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
包装方式:管件
导通电阻:620mΩ@6A,10V
功率:30W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: