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    ROHM Mosfet场效应管 RMW200N03TB 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RMW200N03TB 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RMW200N03TB

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1760pF@12V

    连续漏极电流:91A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA14DN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA14DN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA14DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.57W€26.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:19.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1760pF@12V

    连续漏极电流:91A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1760pF@12V

    连续漏极电流:91A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1760pF@12V

    连续漏极电流:91A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA14DN-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA14DN-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA14DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.57W€26.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:19.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E120BNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E120BNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E120BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA14DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€31.2W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E120BNTB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E120BNTB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E120BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E120BNTB 起订4000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E120BNTB 起订4000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E120BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.57W€26.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA14DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€31.2W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA14DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€31.2W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA14DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA14DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA14DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.57W€26.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:19.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1760pF@12V

    连续漏极电流:91A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA14DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€31.2W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.57W€26.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E120BNTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E120BNTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E120BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.57W€26.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA14DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€31.2W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA14DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€31.2W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA14DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€31.2W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E120BNTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E120BNTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E120BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.57W€26.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA14DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA14DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA14DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.57W€26.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:19.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14DP-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA14DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€31.2W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1760pF@12V

    连续漏极电流:91A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1760pF@12V

    连续漏极电流:91A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA14DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA14DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.57W€26.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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