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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G7P03L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.5nF@15V
连续漏极电流：7A
类型：1个P沟道
导通电阻：19mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G7P03L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.5nF@15V
连续漏极电流：7A
类型：1个P沟道
导通电阻：19mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G7P03L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.5nF@15V
连续漏极电流：7A
类型：1个P沟道
导通电阻：19mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G7P03L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.5nF@15V
连续漏极电流：7A
类型：1个P沟道
导通电阻：19mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：800mΩ@10V，3.9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4243
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.55nF@20V
连续漏极电流：6.7A€14A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@6.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4243
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.55nF@20V
连续漏极电流：6.7A€14A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@6.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF9630PBF
输入电容：700pF@25V
导通电阻：800mΩ@3.9A，10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：P沟道
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
功率：74W
连续漏极电流：6.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
