采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT080N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：4.5V@880μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：2.765nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR570DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.74nF@75V
连续漏极电流：19A€77.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.9mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2954}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT080N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：4.5V@880μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：2.765nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2954}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT080N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：4.5V@880μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：2.765nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2954}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT080N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：4.5V@880μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：2.765nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT080N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：4.5V@880μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：2.765nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2954}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT080N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：4.5V@880μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：2.765nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT080N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：4.5V@880μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：2.765nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT080N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：4.5V@880μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：2.765nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5022，"23+"：2600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT080N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：4.5V@880μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：2.765nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT080N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：4.5V@880μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：2.765nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2954}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT080N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：4.5V@880μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：2.765nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT080N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：4.5V@880μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：2.765nF@400V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
