采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2670
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€70W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2670
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€70W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI630GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2670
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€70W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI630GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2670
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€70W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
