品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@75V
连续漏极电流:4.5A€27A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86068-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86068-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI630GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:5.9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@3.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@75V
连续漏极电流:4.5A€27A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86068-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@75V
连续漏极电流:4.5A€27A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI630GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:5.9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@3.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86068-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@75V
连续漏极电流:4.5A€27A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86068-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:2610pF@75V
连续漏极电流:4.5A€27A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.4A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86068-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: