品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1328
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1328
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1328
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@5A,10V
输入电容:1735pF@50V
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:43nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@5A,10V
输入电容:1735pF@50V
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:43nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@5A,10V
输入电容:1735pF@50V
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:43nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@5A,10V
输入电容:1735pF@50V
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:43nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1328
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@5A,10V
输入电容:1735pF@50V
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:43nC@10V
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@5A,10V
输入电容:1735pF@50V
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:43nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@5A,10V
输入电容:1735pF@50V
类型:N沟道
漏源电压:150V
栅极电荷:43nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存: