品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3407SSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3404LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32338C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC889N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:13A€45A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":22842}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4927NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:920mW€20.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:913pF@15V
连续漏极电流:7.9A€38A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3404LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4459
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":100,"11+":845,"19+":4500,"20+":16500,"21+":54000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4927NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:920mW€20.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:913pF@15V
连续漏极电流:7.9A€38A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3404LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3404LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4411
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSFC3401
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4459
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32338C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSFC3401
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32338C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3404LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4459
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4449
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4411
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4449
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4411
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4411
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSFC3401
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4449
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: