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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10950E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10950E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
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功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
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输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
漏源电压：250V
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规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
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阈值电压：4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
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功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
漏源电压：250V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD10950E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD10950E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
漏源电压：250V
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规格型号(MPN)：SQD10950E_GE3
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功率：62W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
漏源电压：250V
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规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
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功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
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连续漏极电流：3.4A€12.3A
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导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
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连续漏极电流：3.4A€12.3A
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导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
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功率：62W
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输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
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规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
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功率：5.1W€65.8W
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输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
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连续漏极电流：11.5A
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导通电阻：162mΩ@12A，10V
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导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
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输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
漏源电压：250V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD10950E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD10950E_GE3
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功率：62W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
漏源电压：250V
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功率：62W
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栅极电荷：16nC@10V
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输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD10950E_GE3
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功率：62W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
漏源电压：250V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
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功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
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功率：62W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
漏源电压：250V
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规格型号(MPN)：SQD10950E_GE3
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功率：62W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
漏源电压：250V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD10950E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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销售单位：个
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功率：62W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
漏源电压：250V
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销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
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阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
漏源电压：250V
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规格型号(MPN)：SQD10950E_GE3
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功率：62W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@12A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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